Belum lama Intel memproduksi prosessor dengan teknologi multi-core, sekarang teknologi tersebut sudah dikembangkan lagi dengan transistor 45 nanometer. Kalau Intel Core 2 Duo (multi-core) saja sudah lumayan canggih, nah sekarang bisa lebih canggih lagi deh! (sofi)

Kemajuan terbesar dalam desain transistor fundamental, Intel Corporation hari ini (29 Januari 2007) mengumumkan penggunaan dua material baru untuk membuat la-pisan pelindung (insulating walls) dan switching gates untuk transistor 45 na-nometer (nm). Ratusan juta transistors ­ atau switches ­ berukuran mikroskopis akan berada pada produk prosesor Intel ® Core 2 Duo, Intel® Core 2 Quad dan Xeon® generasi beri-kutnya. Intel juga mengumumkan memiliki 5 produk versi awal yang sudah berjalan ­ pertama dari lima belas produk prosesor 45 nm yang direncanakan dari Intel.

Pencapaian ini memungkinkan Intel untuk terus memberikan record-breaking PC (PC pe-mecah rekor), kecepatan prosesor untuk laptop dan server, dengan tetap mengurangi jumlah kebocoran elektrik (electrical leakage) dari transistor yang bisa menghambat desain chip dan PC, ukuran, konsumsi energi, suara dan biaya. Hal ini juga untuk menjamin Hukum Moore, sebuah aksioma industri teknologi tinggi yang menyebutkan bahwa transistor berkembang dua kali lipat setiap dua tahun, berkembang pada dekade berikutnya.

Intel percaya telah meluaskan kepemimpinanya lebih dari satu tahun dibandingkan industri semi-konduktor lainnya dengan prosesor 45nm dari jajaran produk 45nm generasi berikutnya ­ yang diberi nama “Penryn”. Versi awal, yang ditargetkan untuk lima segmen pasar komputer yang ber-beda, menjalankan Windows Vista, Mac OS X, Windows XP dan Linux., dan juga sejumlah aplikasi. Intel tetap berada pada jalurnya untuk produksi 45nm pada paruh kedua tahun ini.

Transistor Intel Mendapatkan Perubahan “High-k dan Metal Gate” Pada 45nm
Intel menjadi pelopor implementasi kombinasi inovatif dari material-material baru yang secara dramatis mengurangi kebocoran transistor (transis-tor leakage) dan meningkatkan kinerja pada teknologi proses 45nm. Intel akan menggunakan material baru yang disebut high-k, untuk transistor gate dielectric, dan kombinasi baru material logam untuk transistor gate electrode “Implementasi high-k dan material logam menandai perubahan terbesar dalam teknologi transistor sejak diperkenalkannya polysilicon gate MOS transistor pada akhir 60-an,” ujar Intel Co-Founder Gorden Moore.

Transistor adalah switch kecil yang memproses nol dan satu di dunia digital. Gerbang (gate) ini mengubah transistor dalam posisi on dan off dan gate dielectric adalah sebuah insulator di bawahnya yang memisahkannya dari channel di mana arus mengalir. Kombinasi metal gates dan high-k gate dielectric menghasilkan transistor dengan kebocoran arus sangat rendah dan mencatat kinerja tinggi.

“Dengan semakin banyaknya transistor yang dibenamkan pada sebuah keping silikon, industri ini terus melakukan riset untuk mencari solusi pengurangan kebocoran arus,” ujar Mark Bohr, salah seorang senior di Intel. “Sementara itu insinyur dan disainer kami telah melakukan pencapaian yang luar biasa yang menjamin kepemimpinan produk dan inovasi Intel. Implementasi kami untuk highk dan metal gate transistor untuk teknologi proses 45nm akan membantu Intel dalam memberikan produk multi-core yang lebih cepat dan lebih hemat energi yang dibuat di atas prosesor Intel Core 2 dan jajaran Xeon; dan meluaskan Hukum Moore pada dekade berikutnya.”

Sebagai perbandingan, lebih kurang 400 buah transistor 45nm dapat dibenamkan dalam sebuah permukaan yang berukuran sebesar satu sel darah merah manusia. Pada satu dekade lalu, teknologi tercanggih adalah 250nm, yang berarti dimensi transistornya 5.5 kali ukuran dan 30 kali area dibandingkan teknologi yang diumumkan oleh Intel hari ini.

Instructions

Statistics

373 views

Categori Game